第三代半导体材料产业中国将走在世界前沿【K1体育】

日前，中欧第三代半导体高峰论坛在广东省深圳市举办，来自中国和欧洲专门从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术研究的200多位著名专家学者和产业界人士汇聚一堂，探究第三代半导体材料的前沿技术和发展趋势。国际权威信息技术研究与顾问咨询公司低德纳公布的近期预测报告表明，2017年全球半导体市场总营收将超过4111亿美元，较2016年快速增长19.7%。多达，全球半导体市场总营收在2014年至2016年间，规模在3400亿美元左右。2017年因内存价格弃季大上涨，造就半导体市场经常出现强大快速增长。

2018年半导体市场有望快速增长4%，超过4274亿美元规模，之后创意低。记者从论坛上得知，近年来，以碳化硅、氮化镓等长禁带化合物为代表的第三代半导体材料引起全球注目。由于其具备严禁比特率、穿透电场强度低、饱和状态电子迁移率低、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强劲等优点，可普遍应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视作承托能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，已沦为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向。多位参加论坛的专家回应，目前中国在第三代半导体材料研究上紧随世界前沿，是为数不多的碳化硅材料衬底、材料外延产业化的国家。

深圳青铜剑科技股份有限公司副总裁和巍巍回应，我国第三代半导体器件设计和生产工艺相反世界先进设备水平迈向，行业已步入发展的春天。深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬回应，广大科技企业与科技工作者要交叠时代脉搏，更进一步增大研发投放、强化国际合作，助力第三代半导体产业较慢发展。

本文来源：k1体育·(3915十年品牌)官方网站-www.bag0755.net